三星第9代QLC V-NAND量产，性能更强

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9 月 24 日消息，三星半导体宣布其量产首批第 9 代 QLC V-NAND，为各种 AI 场景和设备提供了大容量和高性能的内存 方案。

这款第 9 代 QLC V-NAND 使用了通道孔蚀刻技术，实现了业界最高的层数和双堆栈结构。采用预设模具技术和调整字线间距，确保 NAND 层与层之间单元特性的均匀性，提高了数据保留性能约 20%。

在读写性能上，第 9 代 QLC V-NAND使用了预测编程技术通过预测和控制单元状态变化，实现了写入性能翻倍，写入和读取速度都提升了 60%，有效缓解 QLC NAND 写入缓慢的问题。

能效方面第 9 代 QLC V-NAND 也有进步，它通过减少 NAND 单元驱动电压并只感应必要的位线（BL），大幅降低功耗。读写时的功耗分别减少了约 30% 和 50%。

三星半导体有望为市场带来容量更大和性价比更高的存储产品，为用户提供更优质的存储 方案。