海力士：12层HBM3E率先开始量产

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受AI需求提振，SK海力士率先量产12层HBM3E。

9月26日周四，SK海力士宣布，公司已开始量产12H（12层堆叠）HBM3E芯片，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量；公司将在年内向客户提供该产品。

消息公布后，SK海力士股价持续上涨，截至发稿大涨超8%。

HBM（高带宽存储器）是GPU的关键组件，有助于处理复杂应用程序产生的大量数据，芯片垂直堆叠技术可以在节省空间的同时降低功耗。

目前，HBM的主要制造商只有三个——SK海力士、美光科技和三星电子。三星电子于今年2月首次推出了HBM3E 12H。

考虑到英伟达决定将HBM3E 12H纳入Blackwell Ultra和轻量级型号B200A，该产品成为下半年AI半导体领域的关键战场。

有观点认为，今年下半年对于确定HBM市场的未来格局至关重要。是SK Hynix能保持其领先地位、还是三星电子扭转颓势，将取决于谁先向英伟达提供HBM3E 12H。

一位业内人士评论道：

“即使HBM3E 12H的价格可能因竞争加剧而略有下降，但下半年显然是决定HBM市场格局的时候了。”

“关键是每个企业的良品率（良品率）能够提高多少。”

有媒体透露，SK海力士一直是英伟达HBM芯片的主要供应商，已于3月底向一不具名客户提供了HBM3E。

据介绍，SK海力士的HBM3E 12H堆叠了12层3GB DRAM芯片，厚度与之前的8层产品相同，容量增 50%。为了实现这一目标，该公司使每个DRAM芯片比以前薄40%，并使用硅通孔（TSV）技术垂直堆叠。

公告还表示，HBM3E 12H的内存操作速度已提高至9.6Gbps，这是业内目前可用的最高内存速度。如果在搭载四个HBM3E的GPU上运行Llama 3 70B大语言模型的话，可以实现每秒可读取35次700亿个整体参数的水平。

据媒体此前估算，相比于8层堆叠，HBM3E 12H的AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。

公司将通过其核心技术先进MR-MUF工艺的应用，使HBM3E 12H的散热性能较上一代提升了10%，并增强了控制翘曲问题，从而确保稳定性和可靠性。

公司表示，率先量产12层HBM3E，是为了满足AI企业日益增长的需求。SK海力士总裁兼公司AI基础设施负责人Justin Kim表示：

“SK海力士再次突破了技术限制，展现了我们在AI内存领域的行业领先地位。”

“我们将继续保持全球最大人工智能存储器供应商的地位，稳步准备下一代存储器产品，以克服人工智能时代的挑战。”

此前大摩发布研报警告，HBM供应过剩可能即将上演，DRAM等也已出现严重供需失衡。

大摩预计，到2025年，HBM当前供应链中的“良好”供应（即高质量且充足的产品）可能会逐渐赶上甚至超过当前被高估的需求量。

在此基础上，大摩对SK海力士进行了“双重降评”，在下调评级至“减持”的“腰斩”其目标价，从26万韩元直接下调至12万韩元，导致公司股价当日一度暴跌11%。